晶圓封裝測試工序和半導體制造工藝流程VIP

1、A.晶圓封裝測試工序1、 IC檢測1. 缺陷檢查DefectInspection2. DR-SEM(DefectReviewScanningElectronMicroscopy)用來檢測出晶圓上是否有瑕疵，主要是微塵粒子、刮痕、殘留物等問題。此外，對已印有電路圖案的圖案晶圓成品而言，則需要進行深次微米范圍之瑕疵檢測。一般來說，圖案晶圓檢測系統(tǒng)系以白光或雷射光來照射晶圓表面。再由一或多組偵測器接收自晶圓表面繞射出來的光線，并將該影像交由高功能軟件進行底層圖案消除，以辨識并發(fā)現(xiàn)瑕疵。3. CD-SEM(CriticalDimensioinMeasurement)對蝕刻后的圖案作精確的尺寸檢測。2、

2、 IC封裝IC構(gòu)裝依使用材料可分為陶瓷(ceramic)及塑膠(plastic)兩種，而目前商業(yè)應(yīng)用上則以塑膠構(gòu)裝為主。以塑膠構(gòu)裝中打線接合為例，其步驟依序為晶片切割(diesaw)、黏晶(diemount/diebond)、焊線(wirebond)、封膠(mold)、剪切/成形(trim/form)、印字(mark)、電鍍(plating)及檢驗(inspection)等。(1) 晶片切割(diesaw)晶片切割之目的為將前制程加工完成之晶圓上一顆顆之晶粒(die)切割分離。舉例來說：以0.2微米制程技術(shù)生產(chǎn)，每片八寸晶圓上可制作近六百顆以上的64M散量。欲進行晶片切割，首先必須進行晶圓黏片

3、，而后再送至晶片切割機上進行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于膠帶上，而框架的支撐避免了膠帶的皺褶與晶粒之相互碰撞。(2) 黏晶(diemount/diebond)黏品之目的乃將一顆顆之晶粒置于導線架上并以銀膠(epoxy)粘著固定。黏晶完成后之導線架則經(jīng)由傳輸設(shè)備送至彈匣(magazine)內(nèi)，以送至下一制程進行焊線。(3) 焊線(wirebond)IC構(gòu)裝制程（Packaging）則是利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成集成電路（IntegratedCircuit；簡稱IC），此制程的目的是為了制造出所生產(chǎn)的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。最后整個集成電路的周圍會向外拉出腳架

4、（Pin），稱之為打線，作為與外界電路板連接之用。(4) 封膠（mold）封膠之主要目的為防止?jié)駳庥赏獠壳秩?、以機械方式支持導線、內(nèi)部產(chǎn)生熱量之去除及提供能夠手持之形體。其過程為將導線架置于框架上并預熱，再將框架置于壓模機上的構(gòu)裝模上，再以樹脂充填并待硬化。(5) 剪切/成形（trim/form）剪切之目的為將導線架上構(gòu)裝完成之晶粒獨立分開，并把不需要的連接用材料及部份凸出之樹脂切除（dejunk）。成形之目的則是將外引腳壓成各種預先設(shè)計好之形狀，以便于裝置于電路板上使用。剪切與成形主要由一部沖壓機配上多套不同制程之模具，加上進料及出料機構(gòu)所組成。（6）印字（mark）及電鍍（plating）

5、印字乃將字體印于構(gòu)裝完的膠體之上，其目的在于注明商品之規(guī)格及制造者等資訊。(7) 檢驗(inspection)晶片切割之目的為將前制程加工完成之晶圓上一顆顆之檢驗之目的為確定構(gòu)裝完成之產(chǎn)品是否合與使用。其中項目包括諸如：外引腳之平整性、共面度、腳距、印字是否清晰及膠體是否有損傷等的外觀檢驗。(8) 封裝制程處理的最后一道手續(xù)，通常還包含了打線的過程。以金線連接芯片與導線架的線路，再封裝絕緣的塑料或陶瓷外殼，并測試集成電路功能是否正常。2. 測試制程(InitialTestandFinalTest)(1) 芯片測試(wafersort)(2) 芯片目檢(dievisual)(3) 芯片粘貼測試(

6、dieattach)(4) 壓焊強度測試(leadbondstrength)(5) 穩(wěn)定性烘焙(stabilizationbake)(6) 溫度循環(huán)測試(temperaturecycle)(7) 離心測試(constantacceleration)(8) 滲漏測試(leaktest)(9) 高低溫電測試(10) 高溫老化(burn-in)(11) 老化后測試(post-burn-inelectricaltestB.半導體制造工藝流程NPN9頻小功率晶體管制造的工藝流程為：外延片編批清洗水汽氧化一次光刻檢查清洗干氧氧化硼注入一一清洗一一UDO積一一清洗一一硼再擴散一一二次光刻一一檢查一一單結(jié)測試

7、清洗一一干氧氧化一一磷注入一一清洗一一鋁下CVD-清洗一一發(fā)射區(qū)再擴散一一三次光刻檢查雙結(jié)測試清洗鋁蒸發(fā)四次光刻檢查氫氣合金正向測試一一清洗一一鋁上CVD-一檢查一一五次光刻一一檢查一一氮氣烘焙一一檢查中測中測檢查粘片減薄減薄后處理檢查清洗背面蒸發(fā)貼膜劃片檢查裂片外觀檢查綜合檢查硼中間庫。PNP小功率晶體管制造的工藝流程為:外延片一一編批一一擦片一一前處理一一一次氧化一一QC僉查（tox）次光刻一一QC檢查前處理基區(qū)CSD覆CSD淀積后處理QC檢查（RD）前處理基區(qū)氧化擴散QC僉查（tox、RD）二次光刻QC檢查單結(jié)測試前處理一一POC13預淀積一一后處理（P液）一一QC檢查一一前處理一一發(fā)射

8、區(qū)氧化QC檢查（tox）前處理一一發(fā)射區(qū)再擴散（R）前處理一一鋁下CVD-QC檢查（tox、RO）前處理HCl化前處理氫氣處理三次光刻QC檢查一一追擴散一一雙結(jié)測試一一前處理一一鋁蒸發(fā)一一QC檢查（tAl）四次光刻一-QC檢查一一前處理一一氮氣合金一一氮氣烘焙一一QC檢查（ts）五次光刻一一QC檢查大片測試中測中測檢查（粘片減薄減薄后處理檢查清洗背面蒸發(fā)貼膜劃片檢查裂片外觀檢查）綜合檢查硼中間庫。GR平面品種（小功率三極管）工藝流程為:批批一一擦片一一前處理一一一次氧化一一QC僉查（tox）次光刻一一QC查一一前處理一一基區(qū)干氧氧化一一QC檢查（tox）GR刻（不腐蝕）一一GR硼注入一一濕法去

9、膠一一前處理一一GR一區(qū)擴散一一QC僉查（Xj、R）硼注入一一前處理一一基區(qū)擴散與氧化一一QC檢查（Xj、tox、R）二次光刻一一QC檢查一一單結(jié)測試前處理一一發(fā)射區(qū)干氧氧化一一QC檢查（tox）磷注入一一前處理一一發(fā)射區(qū)氧化和再擴散一一前處理一一POC13預淀積（R口）一一后處理一一前處理一一鋁下CVD-QC僉查（tox）一前處理一一氮氣退火一一三次光刻一一QC檢查一一雙結(jié)測試一一前處理一一鋁蒸發(fā)一一QC檢查（tAl）四次光刻一一QC檢查一一前處理一一氮氣合金一一氮氣烘焙一一正向測試一一五次光刻一一QC查一一大片測試一一中測編批一一中測一一中測檢查一一硼中間庫。雙基區(qū)節(jié)能燈品種工藝流程為：批

10、批一一擦片一一前處理一一一次氧化一一QC檢查（tox）次光刻一一QC查一一前處理一一基區(qū)干氧氧化一一QC檢查（tox）硼注入一一前處理一一基區(qū)擴散一一后處理一一QC僉查（Xj、R!）前處理一一基區(qū)CSD覆一一CSM淀積一一后處理一一QC僉查（R匚）前處理一一基區(qū)氧化與擴散一一QC檢查（Xj、tox、R匚）二次一刻一一QC查一一單結(jié)測試一一磷注入一一前處理一一發(fā)射區(qū)氧化一一前處理一一發(fā)射區(qū)再擴散一一前處理一一POC13預淀積（R1）后處理一一前處理一一HCl退火、N2退火一一三次光刻一一QC檢查一一雙結(jié)測試一一前處理一一鋁蒸發(fā)一一QC檢查（tAl）一一四次光刻一一QC檢查一一前處理一一氮氫合金一

11、一氮氣烘焙一一正向測試（ts）外協(xié)作（ts）一前處理一一五次光刻一一QC檢查一一大片測試一一測試ts一中測編批中測中測檢查入中間庫變?nèi)莨苤圃斓墓に嚵鞒虨椋和庋悠灰痪幣灰徊疗灰磺疤幚硪灰灰淮窝趸灰籕C檢查一一N+光刻一一QC檢查一一前處理一一干氧氧化一一QC檢查一一P+檢入一一前處理一一N+-散一一P+光刻一一QC檢查硼注入1前處理CVD（LTQQC檢查硼注入2前處理LPCVD-QC檢查一一前處理一一P+散一一特性光刻一一電容測試一一是否再加擴一一電容測13c（直到達到電容測試要求）一一三次光刻一一QC檢查一一前處理一一鋁蒸發(fā)一一QC僉查（tAl）一一鋁反刻一一QC檢查一一前處理一一氫氣

12、合金一一氮氣烘焙大片測試一一中測一一電容測試一一粘片一一減薄一一QC檢查一一前處理一一背面蒸發(fā)檢檢綜合檢查檢檢入中間庫。P+T散時間越長，相同條件下電容越小。穩(wěn)壓管（N襯底）制造的工藝流程為：外延片一一編批一一擦片一一前處理一一一次氧化一一QC檢查一一P+電刻一一QC檢查一一前處理一一干氧氧化一一QC檢查一一硼注入一一前處理一一鋁下UDO一一QC檢查一一前處理一一P+擴散一一特性光刻一一擴散測試（反向測試）一一前處理一一是否要P+1擴一一三次光刻一一QC檢查一一前處理一一鋁蒸發(fā)一一QC檢查（tAl）四次光刻一一QC檢查檢檢前處理檢檢氮氣合金檢檢氮氣烘焙檢檢大片測試檢檢中測。P+T散時間越長，相同條件下反向擊穿電壓越高肖特基二極管基本的制造工藝流程為:批批一一擦片一一前處理一一一次氧化一一QC檢查（tox）P+刻一一QC檢查一一硼注入一一前處理一一P+檢散與氧化一一Q儂查（