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文檔簡介
1、· LED即Light Emitting Diode(發(fā)光二極管),是一種由III-V族化合物無機材料加工而成的固態(tài)半導體器件,通過PN結(jié)間的電子、空穴復合釋放光子實現(xiàn)電能到可見光的直接轉(zhuǎn)換;OLED即Organic Light Emitting Diode (有機發(fā)光二極管),是利用有機材料實現(xiàn)電子空穴對復合發(fā)光的材料。以上兩種發(fā)光器件統(tǒng)稱半導體照明。為方便表達,下文的“LED”指包括LED和OLED的半導體照明專利內(nèi)容。半導體照明材料因其體積小、耗電量低、壽命長、高亮度、環(huán)保、堅固耐用等優(yōu)點而被廣泛應用到工業(yè)、民用和軍事的照明及顯示領(lǐng)域。為實現(xiàn)對LED技術(shù)知識產(chǎn)權(quán)的保護,各國研究
2、人員迄今已申請了大量相關(guān)專利。本報告以上世紀50年代起至2010年4月底全球LED專利文獻為統(tǒng)計對象,這些專利文獻覆蓋了全球各國在美國、歐盟、德國、英國、法國、韓國、日本、中國大陸、中國臺灣地區(qū)和WIPO(世界知識產(chǎn)權(quán)組織)所申請的專利??紤]到涉及LED產(chǎn)業(yè)鏈的專利記錄中,檢索詞和專利分類的不同,從三個方面制訂相應的檢索策略,首先是襯底外延相關(guān)的上游專利、芯片結(jié)構(gòu)的中游專利、其次是使用了LED(含OLED)全稱和半導體照明的下游有關(guān)專利、以及只使用LED簡稱的專利文獻。本期從全球?qū)@暾垜B(tài)勢角度對半導體照明技術(shù)的發(fā)展情況進行綜述。一、專利趨勢概況截至2010年4月,全球共申請LED相關(guān)專利30
3、5100余篇,按照公開發(fā)表日期統(tǒng)計如表1所示:表1 各年專利件數(shù)統(tǒng)計(數(shù)據(jù)更新時間:2010年4月30日)· 下列各圖(圖1a、1b、2a、2b、3a、3b)顯示了全球各國LED照明專利的發(fā)展情況:1998年以前,全球的半導體發(fā)光技術(shù)由于瓶頸受限一直處于較為緩慢的前期研發(fā)階段,該時段對應專利的技術(shù)萌芽階段;從1998年至2006年,半導體照明開始進入一個迅速增長通道,對應專利的發(fā)展階段;此后,由于新的技術(shù)瓶頸和技術(shù)研發(fā)到成果、產(chǎn)業(yè)的廣泛轉(zhuǎn)換,該產(chǎn)業(yè)在2007年后開始進入穩(wěn)定發(fā)展階段,專利件數(shù)開始停止增長,甚至有下滑的趨勢。 &
4、#160; 以下各圖分別顯示自1991年以來全球LED照明專利以公開日和優(yōu)先權(quán)日的年度統(tǒng)計情況。取樣數(shù)據(jù)分別是:在日申請數(shù)量、在美申請數(shù)量、在美授權(quán)數(shù)量、世界專利申請數(shù)量以及除美日以外的其他國家和地區(qū)的專利數(shù)量總和。圖2 a 以專利優(yōu)先權(quán)年份統(tǒng)計的全球LED專利數(shù)(柱形圖) 圖3 a 至今仍在保護期限內(nèi)全球LED專利數(shù)(線形圖) · 二、專利趨勢解讀 從上述各圖可得到以下信息:第一、全球的LED專利件數(shù)在1996年至2006年間一直保持快速增長,到2006年出現(xiàn)峰值,此后步入穩(wěn)定階段。造成上述原因是由于在1996年前,大功率LE
5、D藍光外延材料一直未能順利面世,全球研發(fā)人員在GaN和SiC兩種材料的陣營展開激烈的競爭,然而RGB三基色中的藍光這一重要角色遲遲未能登上歷史舞臺。率先打破這一僵局的是日本日亞公司職員“中村修二”,他創(chuàng)新性地制備出全球第一枚GaN基大功率的藍光LED芯片,該突出貢獻把全球提前帶入高亮白光LED的新紀元,此后,有關(guān)大功率藍光和白光LED的技術(shù)被廣泛采納和深入研究,各LED專利申請也由此進入井噴階段(見圖1 a)。圖1 a 以專利公開年份統(tǒng)計的全球LED專利數(shù)(柱形圖)第二、日本是一個較早介入LED技術(shù)研發(fā)的國家,該國的專利態(tài)勢也相對其他國家(地區(qū))提前進入各個專利演變階段,在其他國家
6、專利件數(shù)尚未有明顯增長的時候(例如上世紀90年代初和2000年),該國的專利已經(jīng)到達數(shù)量申請的頂峰,且率先進入穩(wěn)定發(fā)展的成熟階段,然后迅速減少,說明該國LED產(chǎn)業(yè)已經(jīng)存在著較高的飽和度,有可能已經(jīng)將研發(fā)重點向其他新興技術(shù)領(lǐng)域轉(zhuǎn)移,提前搶占其他技術(shù)制高點(見圖1 b)。圖1 b 以專利公開年份統(tǒng)計的全球LED專利數(shù)(線圖)· 第三、從2002年起,日本、美國各地區(qū)的專利申請量開始比其他地區(qū)的總和少,顯示其他地區(qū)LED產(chǎn)業(yè)的崛起以及LED專利技術(shù)向全球擴張的趨勢(見圖2 b)。圖2 b 以專利優(yōu)先權(quán)年份統(tǒng)計的全球LED專利數(shù)(線形圖)第四、根據(jù)日本專利法第六十七條規(guī)定:“專利權(quán)的存續(xù)期限,自申請公告之日起不得超過二十年”,故日本專利在1991年前所公開的專利開始出現(xiàn)批量失效的情況(見圖3 b),我國應對這些到期或即將到期的專利給予充分重視;另外從圖3 b可見,1992年后的日本專利(大部分是其國內(nèi)發(fā)明人所申請)的生命力要明顯強于其他國家(地區(qū)),1992年至今所申請的專利失效率僅為2.8%,而美國專利為16%
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