《高頻實(shí)驗(yàn)》實(shí)驗(yàn)三 正弦波振蕩器

1、實(shí)驗(yàn)三 正弦波振蕩器一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?#160;   1掌握三端式振蕩電路的基本原理，起振條件，振蕩電路設(shè)計(jì)及電路參數(shù)計(jì)算。    2通過(guò)實(shí)驗(yàn)掌握晶體管靜態(tài)工作點(diǎn)、反饋系數(shù)大小、負(fù)載變化對(duì)起振和振蕩幅度的影響。    3研究外界條件（溫度、電源電壓、負(fù)載變化）對(duì)振蕩器頻率穩(wěn)定度的影響。    4比較LC振蕩器和晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定度。二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：    1熟悉振蕩器模塊各元件及其作用。    2進(jìn)行LC振蕩器波段工作研究。&#

2、160;   3研究LC振蕩器和晶體振蕩器中靜態(tài)工作點(diǎn)，反饋系數(shù)以及負(fù)載對(duì)振蕩器的影響。    4測(cè)試、分析比較LC振蕩器與晶體振蕩的頻率穩(wěn)定度。三、基本原理本實(shí)驗(yàn)中正弦波振蕩器包含工作頻率為10MHz左右的電容反饋LC三端振蕩器和一個(gè)10MHz的晶體振蕩器，其電路圖如圖3l所示。由撥碼開(kāi)關(guān)S2決定是LC振蕩器還是晶振蕩器(1撥向ON為L(zhǎng)C振蕩器，4撥向ON為晶體振蕩器）    LC振蕩器交流等效電路如圖32所示。    由交流等效電路圖可知該電路為電容反饋LC三端式振蕩器，其反饋系數(shù)

3、 F= （CllCT3）/CAP，CAP可變?yōu)镃7、C14、C23、C19其中一個(gè)。其中Cj為變?nèi)荻?極管2CC1B，根據(jù)所加靜態(tài)電壓對(duì)應(yīng)其靜態(tài)電容。    若將 S2撥向“ l”通，則以晶體JT代替電感 L，此即為晶體振蕩器。    圖31中電位器VR2調(diào)節(jié)靜態(tài)工作點(diǎn)。撥碼開(kāi)關(guān)S4改變反饋電容的大小。S3改變負(fù)載電阻的大小。VR1調(diào)節(jié)變?nèi)荻O管的靜態(tài)偏置。四、實(shí)驗(yàn)步驟1  根據(jù)圖3l在實(shí)驗(yàn)板上找到振蕩器位置并熟悉各元件及作用。    2LC振蕩器波段工作研究   

4、 將S2置于“l(fā)”O(jiān)N，S4置于“3”O(jiān)N，S3全斷開(kāi)。調(diào)節(jié)VR1使變?nèi)荻O管負(fù)端到地電壓為2V，調(diào)節(jié)VR5使J6（ZD.OUT）輸出最大不失真正弦信號(hào)，改變可變電容CT1和CT3，測(cè)其幅頻特性，描繪幅頻曲線（用頻率計(jì)和高頻電壓表在J6處測(cè)試）。    3LC振蕩器靜態(tài)工作點(diǎn)，反饋系數(shù)以及負(fù)載對(duì)振蕩幅度的影響。    l）將S2置于1，S4置于3，S3開(kāi)路，改變上偏置電位器VR2，記下Ieo填入表  31中，用示波器測(cè)量對(duì)應(yīng)點(diǎn)的振蕩幅度Vp-P（峰峰值）填于表中。(Ieo=VeR）記下停振時(shí)的靜態(tài)工作點(diǎn)電流。 &#

5、160;         將S4置于2、4重復(fù)以上步驟。2）S2置于1,S3開(kāi)路，改變反饋電容計(jì)算反饋系數(shù)（撥動(dòng)S4）用示波器記下振蕩幅度與開(kāi)始起振以及停振時(shí)的反饋電容值。                  3) S2 置于1，S4置于2，改變負(fù)載電阻（撥動(dòng)S3），記下振蕩幅度及停振時(shí)的負(fù)載電阻。    &#

6、160;    S2置于4（晶體振蕩器）重復(fù)以上各項(xiàng)填于表中。4LC振蕩器的頻率穩(wěn)定度與晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度的研究與比較。將S2分別置于1或4，進(jìn)行以下實(shí)驗(yàn)并進(jìn)行比較。l）溫度變化引起的頻率漂移    S2置于1或4，S4置于2，S3置于開(kāi)路。先在室溫下記下振蕩頻率。頻率計(jì)接入J6點(diǎn)，若振蕩幅度較小，可在放大輸出（FD.OUT）J26處測(cè)頻率。      然后將電烙鐵靠近振蕩管和振蕩回路，每隔1分鐘記下頻率的變化值，在記錄時(shí)，S2開(kāi)關(guān)交替地打在“l(fā)”（LC振蕩器）和“4”（晶體振蕩器）

7、，觀察每次數(shù)據(jù)的變化和它們的區(qū)別2）電源電壓變化引起的頻率漂移    S2置于1或4，S4置于3，以室溫下電源電壓12伏時(shí)的頻率為標(biāo)準(zhǔn)，測(cè)量電源電壓變化+ 2V時(shí) LC振蕩器及晶體振蕩器的頻率漂移，比較所得結(jié)果：  3）負(fù)載變化引起的頻率漂移    S2置于1或4，S3波段開(kāi)關(guān)順次由14撥動(dòng)，測(cè)量S2開(kāi)關(guān)在LC振蕩器及晶體振蕩器的頻率，比較所得結(jié)果。五、實(shí)驗(yàn)報(bào)告要求    1.用表格形式列出實(shí)驗(yàn)所測(cè)數(shù)據(jù)，繪出實(shí)驗(yàn)曲線，并用所學(xué)理論加以分析解釋。    2.比較所測(cè)得的結(jié)果，分析晶體振蕩器的優(yōu)點(diǎn)。&#