國立中央大學(xué)光電中心

1、國立中央大學(xué)光電中心HDP 高密度電漿蝕刻機(jī)911021使用規(guī)範(fàn)一、目的：為維持本實(shí)驗(yàn)室正常運(yùn)作且發(fā)揮其最大功能，特訂定此管理辦法，供使用者依循。二、設(shè)備指導(dǎo)教授： 電機(jī)所 辛裕明教授儀器負(fù)責(zé)人：電機(jī)所 博生楊世丞、碩生張佳彥設(shè)備型號：Nextral 860L TC300三、使用者等級及權(quán)限：各級使用者權(quán)限使 用 者 權(quán) 限A級使用者1. 訓(xùn)練B、T級使用者之權(quán)利義務(wù)2. 具有Process Engineer之權(quán)限3. 開發(fā)新製程recipe4. 協(xié)助儀器負(fù)責(zé)人進(jìn)行機(jī)臺maintainB級使用者1. 訓(xùn)練T級使用者之權(quán)利義務(wù)2. 具有Operator之權(quán)限T級使用者須有合格使用者陪同，始可操作

2、儀器各級使用者門禁分級ABT高級中級初級.四、訓(xùn)練申請須知等級考核流程：1. A級使用者：j填寫C表k審核l資格考m廠務(wù)訓(xùn)練2. B級使用者：jT級使用者k訓(xùn)練l資格考3. T級使用者：審核訓(xùn)練申請說明：凡每位欲成為合格使用者必須先通過微光電實(shí)驗(yàn)室潔淨(jìng)臺操作資格考方可提出訓(xùn)練申請表，申請表格同微光電實(shí)驗(yàn)室之B表，並依規(guī)定詳實(shí)填寫。B表簽名流程如下: j指導(dǎo)教授簽名k行政助理蓋章l儀器負(fù)責(zé)人簽名m正式累積訓(xùn)練紀(jì)錄n完成訓(xùn)練後請訓(xùn)練員簽名(訓(xùn)練員請自行安排)o檢定員考核並簽名（檢定員由儀器負(fù)責(zé)人指定）。 測試結(jié)果，將由儀器檢定員當(dāng)場告知或行政助理發(fā)函告知。訓(xùn)練流程：若使用過程有嚴(yán)重失誤行為，除依”

3、相關(guān)規(guī)定及懲處”外，該次失誤操作(含)之前的操作與訓(xùn)練次數(shù)不計(jì)入考核計(jì)算，必須重新計(jì)算。1. A級使用者：jB級使用者k至少達(dá)到12次B級(3個(gè)月內(nèi)統(tǒng)計(jì))實(shí)際上機(jī)操作才能申請A級使用者的操作訓(xùn)練課程，經(jīng)過至少5次以上的A級操作的訓(xùn)練課程(由訓(xùn)練員決定訓(xùn)練次數(shù)，但至少5次，須有訓(xùn)練員簽名，並在使用紀(jì)錄簿上登記）l提出資格考申請m 儀器負(fù)責(zé)人：將所有考核內(nèi)容呈報(bào)設(shè)備指導(dǎo)教授核準(zhǔn)。2. B級使用者：jT級使用者k至少達(dá)到6次(二個(gè)月內(nèi)統(tǒng)計(jì))實(shí)際上機(jī)操作(須有合格使用者陪同)，不含3次以上B級操作的訓(xùn)練課程(由訓(xùn)練員決定訓(xùn)練次數(shù)，但至少3次，須有訓(xùn)練員簽名，並在使用紀(jì)錄簿上登記）l提出資格考申請 m

4、儀器負(fù)責(zé)人：最後依所有考核內(nèi)容核準(zhǔn)，並報(bào)知設(shè)備指導(dǎo)教授。3. T級使用者：無?？己藰?biāo)準(zhǔn)：級 別考 核 內(nèi) 容A級使用者jB級使用次數(shù)達(dá)12次以上(三個(gè)月內(nèi))(每日最多累計(jì)2次)kA級筆試l口試m廠務(wù)訓(xùn)練合格B級使用者jT級使用次數(shù)達(dá)6次以上(二個(gè)月內(nèi)) (每日最多累計(jì)2次)kB級筆試l口試T級使用者已通過潔淨(jìng)臺資格考，並填寫B(tài)表和儀器操作訓(xùn)練紀(jì)錄表人員定義：訓(xùn)練員：具有合格使用資格者。檢定員：由儀器負(fù)責(zé)人指定已具合格使用資格者。合格者須知：合格使用者名單公告在儀器設(shè)備記錄本及輪值排班表上。通過檢定之使用者若於三個(gè)月內(nèi)未申請操作則自動降一級使用資格，上機(jī)時(shí)間則重新累計(jì)。若因故被取消使用資格，則須

5、再通過考核，才可恢復(fù)使用資格。五、預(yù)約規(guī)定說明每天開放預(yù)約時(shí)段：星期Mon-SatMon- SatMon-Sat(Mon除外)Mon-Sat(Mon除外)Mon-FriMon-Fri時(shí)12301330-15301530-18001800-20302030-2300 一天須做兩個(gè)以上時(shí)段者，須於使用時(shí)段結(jié)束後始可預(yù)約下一個(gè)時(shí)段 機(jī)臺維護(hù)時(shí)間，每星期一13:3018:00，請避開預(yù)約預(yù)約與取消預(yù)約：1.合格使用者須在使用時(shí)段前完成預(yù)約。2.超時(shí)段使用者需在16:00前至辦公室內(nèi)填寫”超時(shí)段預(yù)約紀(jì)錄簿”。3.日間取消預(yù)約請?jiān)谠A(yù)約使用時(shí)間30分鐘前完成。4.夜間取消預(yù)約

6、請?jiān)?6:00以前完成。六、收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)：收費(fèi)項(xiàng)目自行操作委託操作HDP Etcher5000元/時(shí)未滿一個(gè)小時(shí)以一個(gè)小時(shí)計(jì)算，使用時(shí)間以使用者登入與登出系統(tǒng)的時(shí)間記錄為依據(jù)。 七、相關(guān)規(guī)定及懲處：1. 本設(shè)備如有特別需求者可與管理者反應(yīng)，經(jīng)提報(bào)設(shè)備負(fù)責(zé)人同意後執(zhí)行。2. 每一位使用者初次使用前，必須詳細(xì)閱讀此管理辦法，並於申請表(B表)上簽名同意後方可提出訓(xùn)練申請。3. 樣品材料規(guī)範(fàn)l 蝕刻材料：GaAs, InP及GaN。l Mask材料：光阻、SiOx、SiNx2及PMMA為主。(不允許用任何金屬當(dāng)mask)l Wafer本身須完全清潔始可置入，不可有任何會污染Chamber之沾染物。l 特

7、殊材料須經(jīng)由開會決定實(shí)驗(yàn)可否。4. 將未授權(quán)之Wafer或Mask材料進(jìn)行實(shí)驗(yàn)者，取消使用資格，並永久不得取得儀器使用資格。5. 將使用者密碼任意告知他人者，取消使用資格，並在四週內(nèi)不得取得儀器使用資格。6. 合格使用者若私下授與門禁卡而操作者，取消兩者之使用資格。7. 實(shí)驗(yàn)進(jìn)行中時(shí)，操作者未在微光電實(shí)驗(yàn)室內(nèi)者，一律停權(quán)兩週。8. 製程完成後，未依規(guī)定執(zhí)行Chamber Clean動作、關(guān)閉EPD (End Point Detector)、或登出者，停權(quán)兩週。9. 使用者預(yù)約時(shí)段之前無人使用可先提早半個(gè)小時(shí)使用，且使用時(shí)間最多不可超過使用時(shí)段半個(gè)小時(shí)，若有另一使用者已預(yù)約該時(shí)段則有權(quán)令其停止使用。10. 未經(jīng)許可私自帶走本實(shí)驗(yàn)室任何物品者，停權(quán)兩週。11. 每次製程必須登記使用記錄簿並依規(guī)定儲存所有的製程資料，未依規(guī)定使用者停權(quán)兩週。12. 機(jī)臺異常，請?jiān)敿?xì)紀(jì)錄異常狀況與初步應(yīng)變措施於維修紀(jì)錄本中，並盡快通知管理者處理，若因延遲申報(bào)造成機(jī)臺損毀，視為該使用者之責(zé)任並承擔(dān)。13. 使用者必須遵守操作規(guī)範(fàn)（如操作手則），非關(guān)正常操作機(jī)臺的一切行為一概禁止，如有不當(dāng)使用之行為經(jīng)發(fā)現(xiàn)將停權(quán)一週，若有毀損儀器將負(fù)修理賠償責(zé)任取消該使用者資格並提報(bào)指導(dǎo)教授。14. 製程完成後，必須遵守HDP使用規(guī)範(fàn)完成整個(gè)製程步驟，若有違反，停權(quán)兩週。15