光纜測(cè)試報(bào)告

1、MLC項(xiàng)目通信傳輸系統(tǒng)光纜測(cè)試報(bào)告北京建誼建筑工程有限公司年 7 7 月 2121 日、光纜測(cè)試說明1 1、 通信系統(tǒng)說明MLCMLC 項(xiàng)目配套工程包括通信傳輸系統(tǒng)，由 MLCMLC 在 TCCTCC 通信機(jī)房、小營(yíng)/ /西直門 MLCMLC 機(jī)房分別新設(shè)一套 2.5G2.5G 傳輸設(shè)備，三套傳輸設(shè)備通過光纜組成 4 4 芯復(fù)用段保護(hù)環(huán)網(wǎng)，通過 TCCTCC既有配線架與各線 OCCOCC 在 TCCTCC 設(shè)置的傳輸設(shè)備業(yè)務(wù)層互聯(lián)。MLCMLC 新設(shè)的傳輸設(shè)備通過 TCCTCC既有 ODFODF 與 MLCMLC 機(jī)房新設(shè) ODRODR1 過光纜連接，實(shí)現(xiàn)各線 LCLC 業(yè)務(wù)接入 MLCMLC

2、2 2、 光纖使用說明1 1）西直門 8 8 層 MLCMLC 機(jī)房（災(zāi)備中心）至京投大廈西輔樓一層 MLCMLC 機(jī)房（生產(chǎn)中心），占用南環(huán) 4 4 芯光纖；2 2）西直門 8 8 層 MLCMLC 機(jī)房（災(zāi)備中心）至京投大廈東輔樓三層 TCCTCC 機(jī)房 MLCMLC1 信設(shè)備,占用北環(huán) 4 4 芯光纖；3 3）京投大廈西輔樓一層MLCMLC 機(jī)房（生產(chǎn)中心）至京投大廈東輔樓三層 TCCTCC 機(jī)房 MLCMLC1信設(shè)備，新敷設(shè) 1 1 根 2424 芯光纖；4 4）西直門 8 8 層 MLCMLC 機(jī)房（災(zāi)備中心）至西直門 7 7 層通信機(jī)房（南環(huán)、北環(huán)均在此處上光纖配線架），新敷設(shè) 1

3、 1 根 2424 芯光纖；5 5）京投大廈西輔樓一層 MLCMLC 機(jī)房（生產(chǎn)中心）至京投大廈西輔樓B1B1 層通信配線間 （南環(huán)在此處上光纖配線架） ，新敷設(shè) 1 1 根 2424 芯光纖；6 6）京投大廈西輔樓一層 MLCMLC 機(jī)房（生產(chǎn)中心）至京投大廈西輔樓7 7 層配線間，新敷設(shè)2 2 根 4 4 芯多模光纜。（此處的 2 2 根 4 4 芯多模光纜不屬于通信傳輸系統(tǒng)，是連接服務(wù)器與工作站交換機(jī)之間的多模光纜） ；此次測(cè)試針對(duì)以上 6 6 部分進(jìn)行。3 3、 測(cè)試儀器采用信維牌 OTDROTDR（光時(shí)域反射儀），具體型號(hào)為 S20S20。201020104 4、 相關(guān)圖紙MLCML

4、C 項(xiàng)目通信系統(tǒng)光纖傳輸路由圖二、光纜測(cè)試內(nèi)容光纜測(cè)試包括以下內(nèi)容:光纜熔接損耗（MLCMLC 項(xiàng)目中的光纜熔接點(diǎn)）；3 3 處 MLCMLC 通信設(shè)備之間光纖傳輸鏈路的光衰減;具體說明如下:光纜熔接損耗：西直門本項(xiàng)目敷設(shè)的 1 1 根 2424 芯光纜；京投大廈本項(xiàng)目敷設(shè)的 2 2 根 2424芯光纜；京投大廈本項(xiàng)目敷設(shè)的 2 2 根 4 4 芯多模光纜；3 3 處 MLCMLC信設(shè)備之間光纖傳輸鏈路的光衰減：西直門 8 8 層 MLCMLC信設(shè)備與京投大廈西輔樓一層 MLCMLC!信設(shè)備之間的鏈路衰減；西直門 8 8 層 MLCMLC 通信設(shè)備與京投大廈東輔樓三 層 TCTCC C機(jī)房 M

5、LCMLC信設(shè)備之間的鏈路衰減；京投大廈西輔樓一層 MLCMLC信設(shè)備與京投大廈 東輔樓三層 TCTCC C機(jī)房 MLCMLC!信設(shè)備之間的鏈路衰減;三、測(cè)試目的序號(hào)測(cè)試內(nèi)容測(cè)試目的合格標(biāo)準(zhǔn)備注1光纜熔接損耗檢查光纖熔接質(zhì)量每個(gè)熔接點(diǎn)損耗0.08dB光纖熔接規(guī)范2西直門8層MLC信設(shè)備與京 投大廈西輔樓一層MLC通信設(shè)備之間的鏈路衰減檢查光纖鏈路質(zhì)量25dB通信設(shè)備對(duì)光衰 減的要求3西直門8層MLC信設(shè)備與京 投大廈東輔樓三層TCC機(jī)房MLC信設(shè)備之間的鏈路衰減檢查光纖鏈路質(zhì)量25dB通信設(shè)備對(duì)光衰 減的要求4京投大廈西輔樓一層MLC通信設(shè)備與京投大廈東輔樓三 層TCC機(jī)房MLC信設(shè)備之間 的

6、鏈路衰減檢查光纖鏈路質(zhì)量15dB通信設(shè)備對(duì)光衰 減的要求四、光纜測(cè)試記錄在西直門 8 8 層 MLCMLC 機(jī)房，對(duì)本項(xiàng)目敷設(shè)的 2424 芯光纖進(jìn)行測(cè)試；然后在西直門 7 7 層通信配線間，對(duì)本項(xiàng)目敷設(shè)的 2424 芯光纖進(jìn)行反向測(cè)試；測(cè)試結(jié)果如下:光纖 芯數(shù)合格標(biāo)準(zhǔn)（雙向測(cè)試平均值）測(cè)試地點(diǎn)：8層MLC機(jī)房測(cè)試地點(diǎn)：7層通信配線 間雙向測(cè)試取平均值是否合格8層熔接點(diǎn) 損耗7層熔接點(diǎn) 損耗8層熔接點(diǎn) 損耗7層熔接點(diǎn) 損耗8層熔接點(diǎn) 損耗7層熔接點(diǎn) 損耗每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否

7、口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口1 1、 西直門新敷設(shè) 1 1 根 2424 芯光纖熔接質(zhì)量測(cè)試記錄每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口光纖 芯數(shù)合格標(biāo)準(zhǔn)（雙向測(cè)試平均值）測(cè)試地點(diǎn)：8層MLC機(jī)房測(cè)試地點(diǎn)：7層通信配線 間雙向測(cè)試取平均值是否合格8層熔接點(diǎn) 損耗7層熔接點(diǎn) 損耗8層熔接點(diǎn) 損耗7層熔接點(diǎn) 損耗8層熔接點(diǎn) 損耗7層熔接點(diǎn) 損耗每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口

8、每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口監(jiān)理單位（簽字）：日 期:光纖 芯數(shù)合格標(biāo)準(zhǔn)（雙向測(cè)試平均值）測(cè)試地點(diǎn)：8層MLC機(jī)房測(cè)試地點(diǎn)：7層通信配線 間雙向測(cè)試取平均值是否合格8層熔接點(diǎn) 損耗7層熔接點(diǎn) 損耗8層熔接點(diǎn) 損耗7層熔接點(diǎn) 損耗8層熔接點(diǎn) 損耗7層熔接點(diǎn) 損耗每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接

9、點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口測(cè)試結(jié)論:不通過通過施工單位（簽字）：日期：2 2、京投大廈新敷設(shè) 2 2 根 2424 芯光纖熔接質(zhì)量測(cè)試記錄在京投大廈西輔樓一層 MLCMLC 機(jī)房，對(duì)本項(xiàng)目敷設(shè)的 2424 芯光纖進(jìn)行測(cè)試；然后在京投大廈西輔樓 B1B1 層通信配線間，對(duì)本項(xiàng)目敷設(shè)的 2424 芯光纖進(jìn)行反向測(cè)試；測(cè)試結(jié)果如下:光纖芯數(shù)合格標(biāo)準(zhǔn)（雙向測(cè)試平均值）測(cè)試地點(diǎn)：1層MLC機(jī)房測(cè)試地點(diǎn)：B1層通信配線間雙向測(cè)試取平均值是否合格1層熔接點(diǎn) 損耗B1層熔接 點(diǎn)損耗1層熔接點(diǎn) 損耗B1層熔接點(diǎn) 損耗1層熔接 點(diǎn)損耗B1層熔接 點(diǎn)損耗每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08

10、dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口光纖 芯數(shù)合格標(biāo)準(zhǔn)（雙向測(cè)試平均值）測(cè)試地點(diǎn)：1層MLC機(jī)房測(cè)試地點(diǎn)：B1層通信配線間雙向測(cè)試取平均值是否合格1層熔接點(diǎn) 損耗B1層熔接 點(diǎn)損耗1層熔接點(diǎn) 損耗B1層熔接點(diǎn) 損耗1層熔接 點(diǎn)損耗B1層熔接 點(diǎn)損耗每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V

11、0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口2424 芯光纖進(jìn)行反向測(cè)試；測(cè)試結(jié)果如下:光纖芯數(shù)合格標(biāo)準(zhǔn)（雙向測(cè)試平均值）測(cè)試地點(diǎn)：1層MLC機(jī)房測(cè)試地點(diǎn)：3層通信配線間雙向測(cè)試取平均值是否合格1層熔接點(diǎn) 損耗3層熔接點(diǎn) 損耗1層熔接點(diǎn) 損耗3層熔接點(diǎn)損 耗1層熔接 點(diǎn)損耗3層熔接點(diǎn) 損耗光纖 芯數(shù)合格標(biāo)準(zhǔn)（雙向測(cè)試平均值）測(cè)試地點(diǎn)：1層MLC機(jī)房測(cè)試地點(diǎn)：B1層通信配

12、線間雙向測(cè)試取平均值是否合格1層熔接點(diǎn) 損耗B1層熔接 點(diǎn)損耗1層熔接點(diǎn) 損耗B1層熔接點(diǎn) 損耗1層熔接 點(diǎn)損耗B1層熔接 點(diǎn)損耗每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口測(cè)試結(jié)論:不通過通過施工單位（簽字）： 日在京投大廈西輔樓一層 MLCMLC 機(jī)房，對(duì)本項(xiàng)目敷設(shè)的 2424 芯光纖進(jìn)行測(cè)試；然后在京投大廈東輔樓 3 3 層通信配線間，對(duì)本項(xiàng)目敷設(shè)的期:監(jiān)理單位（簽字）：日 期:每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口光纖

13、 芯數(shù)合格標(biāo)準(zhǔn)（雙向測(cè)試平均值）測(cè)試地點(diǎn)：1層MLC機(jī)房測(cè)試地點(diǎn)：3層通信配線間雙向測(cè)試取平均值是否合格1層熔接點(diǎn) 損耗3層熔接點(diǎn) 損耗1層熔接點(diǎn) 損耗3層熔接點(diǎn)損 耗1層熔接 點(diǎn)損耗3層熔接點(diǎn) 損耗每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口監(jiān)理

14、單位（簽字）：日 期:光纖 芯數(shù)合格標(biāo)準(zhǔn)（雙向測(cè)試平均值）測(cè)試地點(diǎn)：1層MLC機(jī)房測(cè)試地點(diǎn)：3層通信配線間雙向測(cè)試取平均值是否合格1層熔接點(diǎn) 損耗3層熔接點(diǎn) 損耗1層熔接點(diǎn) 損耗3層熔接點(diǎn)損 耗1層熔接 點(diǎn)損耗3層熔接點(diǎn) 損耗每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.08dB是口否口測(cè)試結(jié)論:不通

15、過通過施工單位（簽字）：日期：3 3、京投大廈新敷設(shè) 2 2 根 4 4 芯多模光纖熔接質(zhì)量測(cè)試記錄在京投大廈西輔樓一層 MLCMLC 機(jī)房，對(duì)本項(xiàng)目敷設(shè)的 2 2 根 4 4 芯多模光纖進(jìn)行測(cè)試；然后在京投大廈西輔樓 7 7 層通信配線間，對(duì)本項(xiàng)目敷設(shè)的 4 4 芯多模光纖進(jìn)行反向測(cè)試；多模光纜 1 1 測(cè)試結(jié)果如下:通過施工單位（簽字）：日期：多模光纜 2 2 測(cè)試結(jié)果如下:監(jiān)理單位（簽字）：日 期:光纖芯數(shù)合格標(biāo)準(zhǔn)（雙向測(cè)試平均值）測(cè)試地點(diǎn)：1層MLC機(jī)房測(cè)試地點(diǎn)：7層通信配線間雙向測(cè)試取平均值是否合格1層熔接點(diǎn) 損耗7層熔接點(diǎn) 損耗1層熔接點(diǎn) 損耗7層熔接點(diǎn)損 耗1層熔接 點(diǎn)損耗7層熔

16、接點(diǎn) 損耗每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.3dB是口否口光纖芯數(shù)合格標(biāo)準(zhǔn)（雙向測(cè)試平均值）測(cè)試地點(diǎn)：1層MLC機(jī)房測(cè)試地點(diǎn)：7層通信配線間雙向測(cè)試取平均值是否合格1層熔接點(diǎn) 損耗7層熔接點(diǎn) 損耗1層熔接點(diǎn) 損耗7層熔接點(diǎn)損 耗1層熔接 點(diǎn)損耗7層熔接點(diǎn) 損耗每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.3dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.3dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.3dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.3dB是口否口測(cè)試結(jié)論:不通過光纖 芯數(shù)合格標(biāo)準(zhǔn)（雙向測(cè)試平均值）測(cè)試地點(diǎn)：1層MLC機(jī)房測(cè)試地點(diǎn)：7層通信配線間雙向測(cè)試取平均值是否合格1層熔接點(diǎn) 損耗7層熔接點(diǎn) 損耗1層熔接點(diǎn) 損耗7層熔接點(diǎn)損 耗1層熔接 點(diǎn)損耗7層熔接點(diǎn) 損

17、耗每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.3dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.3dB是口否口每個(gè)熔接點(diǎn)損耗V0.3dB是口否口測(cè)試結(jié)論：通過不通過施工單位（簽字）：監(jiān)理單位（簽字）：日期：日期：4 4、西直門 8 8 層 MLCMLC!信設(shè)備與京投大廈西輔樓一層 MLCMLC!信設(shè)備之間的鏈路衰減在西直門 8 8 層 MLCMLC 機(jī)房，對(duì)本項(xiàng)目南環(huán)的 4 4 根光纖進(jìn)行測(cè)試；然后在京投大廈西輔樓一層 MLCMLC 機(jī)房，對(duì)本項(xiàng)目的南環(huán)光纖進(jìn)行反向測(cè)試；測(cè)試結(jié)果如下:光纖芯數(shù)合格標(biāo)準(zhǔn)（雙向測(cè)試平均值）測(cè)試地點(diǎn)：西直門8層MLC機(jī)房測(cè)試地點(diǎn)：京投大廈西輔樓1層雙向測(cè)試取平均值是否合格鏈路損耗鏈路損耗鏈路損耗鏈路損耗V

18、25dB是口否口鏈路損耗V25dB是口否口鏈路損耗V25dB是口否口鏈路損耗V25dB是口否口測(cè)試結(jié)論：通過不通過施工單位（簽字）：監(jiān)理單位（簽字）：日期：日期：5 5、西直門 8 8 層 MLCMLC!信設(shè)備與京投大廈東輔樓三層 TCCTCC 機(jī)房 MLCMLC 通信設(shè)備之間的鏈路衰減在西直門 8 8 層 MLCMLC 機(jī)房，對(duì)本項(xiàng)目北環(huán)的 4 4 根光纖進(jìn)行測(cè)試；然后在京投大廈東輔樓三層 TCCTCC 機(jī)房 MLCMLC1 信設(shè)備，對(duì)本項(xiàng)目的北 環(huán)光纖進(jìn)行反向測(cè)試；測(cè)試結(jié)果如下：光纖合格標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試地點(diǎn)：測(cè)試地點(diǎn)：雙向測(cè)試取平均值是否合格光纖西直門8層MLC機(jī)房京投大廈東輔樓3層是口 格芯數(shù)（雙向測(cè)試平均值）鏈路損耗鏈路損耗鏈路損耗鏈路損耗V25dB是口否口鏈路損耗V25dB是口否口鏈路損耗V25dB是口否口鏈路損耗V25dB是口否口測(cè)試結(jié)論：通過不通過施工單位（簽字）：監(jiān)理單位（簽字）：日期：日期：6 6 京投大廈西輔樓一層 MLCMLC!信設(shè)備與京投大廈東輔樓三層 TCCTCC 機(jī)房 MLCMLC 通信設(shè)備之間的鏈路衰減在京投大廈西輔樓一層 MLCMLC 機(jī)房，對(duì)本項(xiàng)目新增的 1 1 根 2424 芯光纖進(jìn)行測(cè)試；然后在京