矽力杰筆試題精編版_第1頁(yè)
矽力杰筆試題精編版_第2頁(yè)
矽力杰筆試題精編版_第3頁(yè)
全文預(yù)覽已結(jié)束

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

前三題為必做題，全為英文描述題干1、寫(xiě)出電阻R、電容 C、電感 L 的 V/I 關(guān)系式；2、給出 VB 的電壓值求NPN 型三極管的 VC 、 VE (晶體管的開(kāi)啟電壓為0.7v)VbVeVc010.7v20.7v3.在滿足深度負(fù)反饋的條件下，求出以下放大電路的VO .整份試卷包含所有面試方向的題，最后一部分是IC layout 方向的筆試題：11.簡(jiǎn)述 CMOS 的工藝流程2.給出 nand2 的管級(jí)圖畫(huà)出其layout 。3.下圖電路圖中有兩個(gè) MOSFET （ MA and MB) 假設(shè)每個(gè) MOSFET 有兩個(gè) gate finger ，右下版圖應(yīng)如何連接，才能使 MA and MB 匹配。4.畫(huà)出不同的電流鏡圖，并簡(jiǎn)述各自特點(diǎn)。面試時(shí)問(wèn)到的問(wèn)題技術(shù)部：1.晶體管的工作原理2.你在青軟實(shí)訓(xùn)學(xué)到了什么3.你覺(jué)得怎樣布局、布線，該注意哪些方面4.Latch-up 的原理，形成示意圖并提取其電路圖5.ESD 的工作原理，做ESD 時(shí)你覺(jué)得應(yīng)該注意哪些方面。負(fù)責(zé)人：一直不停地從你回答的話中找問(wèn)題，問(wèn)問(wèn)題，1. 自對(duì)準(zhǔn)工藝（ SALICIDE）原理，后做柵會(huì)出現(xiàn)什么后果2.CMOS的工藝流程23.Latch-up的原理以及防止措施，Guard ring的作用，保護(hù)作用具體是怎樣做

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論