蘇教版選修3專(zhuān)題3第2單元離子鍵 離子晶體課件 (38張PPT).pptVIP

第二單元離子鍵離子晶體 na和cl的反應(yīng) na和cl的反應(yīng) 一 離子鍵 1 定義 陰陽(yáng)離子間通過(guò)靜電作用所形成的化學(xué)鍵叫做離子鍵 成鍵微粒 陰陽(yáng)離子 相互作用 靜電作用 靜電引力和斥力 成鍵過(guò)程 陰陽(yáng)離子接近到某一定距離時(shí) 吸引和排斥達(dá)到平衡 就形成了離子鍵 含有離子鍵的化合物就是離子化合物 哪些物質(zhì)中含有離子鍵 1 活潑的金屬元素 ia iia 和活潑的非金屬元素 via viia 形成的化合物 2 活潑的金屬元素和酸根離子 或氫氧根離子 形成的化合物 3 銨根和酸根離子 或活潑非金屬元素離子 形成的鹽 2 離子鍵的形成 離子的電子式 陽(yáng)離子的表示na mg2 陰離子的表示 二 用電子式表示離子化合物的形成 化合物的電子式 如nacl的電子式 na 如mgo電子式 mg2 小結(jié) 離子化合物電子式的書(shū)寫(xiě) 1 簡(jiǎn)單陰離子的電子式不但要表達(dá)出最外層所有電子數(shù) 包括得到的電子 而且用方括號(hào) 括起來(lái) 并在右上角注明負(fù)電荷數(shù) 3 離子化合物的電子式由陰離子和陽(yáng)離子電子式組成 相同的離子不能合并 2 簡(jiǎn)單陽(yáng)離子的電子式就是離子符號(hào) 用電子式表示nacl的形成過(guò)程 na na 小結(jié) 用電子式表示離子鍵的形成過(guò)程 三 離子鍵的實(shí)質(zhì) 思考 從核外電子排布的理論思考離子鍵的形成過(guò)程 根據(jù)庫(kù)侖定律 f k q q r2 思考 這些微粒之間是否存在著什么作用呢 相互作用 靜電作用 靜電吸引 靜電斥力 異性電荷之間 原子核之間電子之間 處于平衡狀態(tài) 四 離子晶體 1 定義 離子間通過(guò)離子鍵結(jié)合而成的晶體 2 硬度較高 密度較大 難壓縮 難揮發(fā) 熔沸點(diǎn)較高 1 晶體不導(dǎo)電 在熔融狀態(tài)或水溶液中導(dǎo)電 不存在單個(gè)分子 2 特點(diǎn) 3 哪些物質(zhì)屬于離子晶體 強(qiáng)堿 部分金屬氧化物 絕大部分鹽類(lèi) 思考 氯化鈉晶體中鈉離子和氯離子分別處于晶胞的什么位置 質(zhì)點(diǎn)分析 一 晶體中微粒的排列 個(gè)數(shù) 食鹽的晶體結(jié)構(gòu)圖 思考 每個(gè)cl 周?chē)c之最接近且距離相等的na 共有個(gè) 6 這幾個(gè)na 在空間構(gòu)成的幾何構(gòu)型為 正八面體 一 晶體中微粒的排列 個(gè)數(shù) 與一個(gè)氯離子相鄰最近且距離相等的氯離子有多少個(gè) 食鹽的晶體結(jié)構(gòu)圖 距離是多少 圖示距離為a 思考 a 12個(gè) 一 晶體中微粒的排列 個(gè)數(shù) 2 每個(gè)晶胞含鈉離子 氯離子的個(gè)數(shù) 頂點(diǎn)占1 8 棱占1 4 面心占1 2 體心占1 氯離子 鈉離子 計(jì)算方法 小結(jié) 1 每個(gè)na 同時(shí)吸引個(gè)cl 每個(gè)cl 同時(shí)吸引個(gè)na 而na 數(shù)目與cl 數(shù)目之比為化學(xué)式為 2 根據(jù)氯化鈉的結(jié)構(gòu)模型確定晶胞 并分析其構(gòu)成 每個(gè)晶胞中有na 有個(gè)cl 3 在每個(gè)na 周?chē)c它最近的且距離相等的na 有個(gè) 6 6 1 1 nacl 4 4 12 cscl的晶體結(jié)構(gòu)示意圖 cscl型 每個(gè)cs 同時(shí)吸引個(gè)cl 每個(gè)cl 同時(shí)吸引個(gè)cs 而cs 數(shù)目與cl 數(shù)目之比為 8 8 1 1 cscl型 根據(jù)氯化銫的結(jié)構(gòu)模型確定晶胞 并分析其構(gòu)成 每個(gè)晶胞中有cs 有個(gè)cl 1 1 cscl型 在每個(gè)cs 周?chē)c它最近的且距離相等的cs 有個(gè) 小結(jié) 1 每個(gè)cs 同時(shí)吸引個(gè)cl 每個(gè)cl 同時(shí)吸引個(gè)cs 而cs 數(shù)目與cl 數(shù)目之為化學(xué)式為 2 根據(jù)氯化銫的結(jié)構(gòu)模型確定晶胞 并分析其構(gòu)成 每個(gè)晶胞中有cs 有個(gè)cl 3 在每個(gè)cs 周?chē)c它最近的且距離相等的cs 有個(gè) 8 8 1 1 cscl 1 1 6 1 晶格能 在一定程度上可以用來(lái)衡量離子鍵的強(qiáng)弱 拆開(kāi)1mol離子晶體 使之形成完全氣態(tài)陰離子和氣態(tài)陽(yáng)離子所吸收的能量 用u表示 五 離子鍵的強(qiáng)度 2 意義一般而言 晶格能越大 離子晶體的離子鍵越強(qiáng) 晶體的熔沸點(diǎn)越高 硬度越大 討論 晶格能與離子型化合物的物理性質(zhì) 從表中數(shù)據(jù)可以看出 離子晶體的晶格能隨離子間距的減小而增大 因此隨著陽(yáng)離子或陰離子半徑的減小 晶格能增大 晶格能愈大 晶體的熔點(diǎn)就愈高 離子晶體的晶格能還與陰 陽(yáng)離子所帶的電荷數(shù)有關(guān) 離子所帶電荷越多 晶格能越大 離子鍵就越強(qiáng) 比較下列離子鍵強(qiáng)度 lifnaclcsi becl2mgcl2cacl2srcl2bacl2 比較下列晶體的熔沸點(diǎn) mgocaolifnacl 性質(zhì) 離子化合物內(nèi)部的特殊結(jié)構(gòu) 離子化合物的物理性質(zhì) 熔沸點(diǎn)較高 晶格能 核間距 課堂小結(jié) 結(jié)構(gòu) 金屬陽(yáng)離子 非金屬陰離子 離子鍵 硬度較大 離子電荷數(shù) 熔沸點(diǎn)高低硬度大小 決定 六 離子晶體的配位數(shù)與r r 的關(guān)系 1 離子晶體穩(wěn)定存在的條件 2 配位數(shù) 一種離子周?chē)o鄰的帶相反電荷的離子數(shù)目 nacl型