半導體器件(附答案).doc

第一章、半導體器件（附答案）一、選擇題 1PN 結加正向電壓時，空間電荷區(qū)將 _A. 變窄 B. 基本不變 C. 變寬2設二極管的端電壓為 u ，則二極管的電流方程是 _A. B. C. 3穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓是其工作在 _A. 正向導通 B. 反向截止 C. 反向擊穿區(qū)4時，能夠工作在恒流區(qū)的場效應管有 _A. 結型場效應管 B. 增強型 MOS 管 C. 耗盡型 MOS 管5對PN結增加反向電壓時，參與導電的是 _A. 多數(shù)載流子 B. 少數(shù)載流子 C. 既有多數(shù)載流子又有少數(shù)載流子6當溫度增加時，本征半導體中的自由電子和空穴的數(shù)量 _A. 增加 B. 減少 C. 不變7用萬用表的 R 100 檔和 R 1K 檔分別測量一個正常二極管的正向電阻，兩次測量結果 _A. 相同 B. 第一次測量植比第二次大 C. 第一次測量植比第二次小8面接觸型二極管適用于 _A. 高頻檢波電路 B. 工頻整流電路 9下列型號的二極管中可用于檢波電路的鍺二極管是： _A. 2CZ11 B. 2CP10 C. 2CW11 D.2AP610當溫度為20時測得某二極管的在路電壓為。若其他參數(shù)不變，當溫度上升到40，則的大小將 _A. 等于 0.7V B. 大于 0.7V C. 小于 0.7V11當兩個穩(wěn)壓值不同的穩(wěn)壓二極管用不同的方式串聯(lián)起來，可組成的穩(wěn)壓值有 _A. 兩種 B. 三種 C. 四種12在圖中，穩(wěn)壓管和的穩(wěn)壓值分別為6V和7V，且工作在穩(wěn)壓狀態(tài)，由此可知輸出電壓為 _ A. 6V B. 7V C. 0V D. 1V13將一只穩(wěn)壓管和一只普通二極管串聯(lián)后，可得到的穩(wěn)壓值是（ ）A. 兩種 B. 三種 C. 四種14在雜質半導體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于 _（1）_，而少數(shù)載流子的濃度與 _（2）_有很大關系。（1）A. 溫度 B. 摻雜工藝 C. 雜質濃度 D. 晶體缺陷（2）A. 溫度 B. 摻雜工藝 C. 雜質濃度 D. 晶體缺陷15當 PN 結外加正向電壓時，擴散電流_（1）_漂移電流，耗盡層_（2）_，當 PN 結外加反向電壓時，擴散電流 _（3）_漂移電流，耗盡層 _（4）_。（1）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 變寬 E. 變窄 F. 不變（2）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 變寬 E. 變窄 F. 不變（3）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 變寬 E. 變窄 F. 不變（4）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 變寬 E. 變窄 F. 不變16甲、乙、丙三個二極管的正、反向特性如表 1.6 所示，你認為哪一個二極管的性能最好？ 表 1.6管號 加 0.5V 正向 電壓時的電流 加反向電壓 時的電流 哪個性能好？ 甲 0.5mA 1uA （）乙 5 Ma 0.1 uA （）丙 2 mA 5 uA （）A. 甲 B. 乙 C. 丙17. 一個硅二極管在正向電壓時，正向電流。若增大到0.66V （即增加10%），則電流_A. 約為11mA（也增加10%） B. 約為20mA（增大1倍） C. 約為100mA（增大到原先的10倍） D. 仍為10 mA（基本不變）18. 在如下圖所示的電路中，當電源V1=5V時，測得I=1mA 。若把電源電壓調整V1=10V，則電流的大小將V1=5V是 _。A. I =2mA B. I2mA C. I2mA21. 在P型半導體中，多數(shù)載流子是 _（1）_，在N型半導體中，多數(shù)載流子是 _（2）（1）A. 正離子 B. 自由電子 C. 負離子 D. 空穴（1）A. 正離子 B. 自由電子 C. 負離子 D. 空穴23. 本征半導體溫度升高以后，自由電子和空穴的變化情況是_。A. 自由電子數(shù)目增加，空穴數(shù)目不變 B. 空穴數(shù)目增加，自由電子數(shù)目不變 C. 自由電子和空穴數(shù)目等量增加24. N 型半導體_（1）_， P 型半導體_（2）_。（1）A. 帶正電 B. 帶負電 C. 呈電中性（2）A. 帶正電 B. 帶負電 C. 呈電中性26. PN 結外加反向電壓時，其內電場_。A. 減弱 B. 不變 C. 增強27. PN 結在外加正向電壓的作用下，擴散電流_漂移電流。A. 大于 B. 小于 C. 等于28. 在本征半導體中加入_（1）_ 元素可形成N型半導體，加入_（2）_ 元素可形成P型半導體。（1） A. 五價 B. 四價 C. 三價（2） A. 五價 B. 四價 C. 三價29. 當溫度升高時，二極管的反向飽和電流將 _A. 增大 B. 不變 C. 減小30. 工作在放大區(qū)的某三極管，如果當從12A增大22 A時，從1mA變?yōu)?mA，那么它的約為 _A. 83 B. 91 C. 10031. 硅二極管上外加正向電壓很低時，正向電流幾乎為零，只有在外加電壓達到約_V 時，正向電流才明顯增加，這個電壓稱為硅二極管的死區(qū)電壓。與硅二極管一樣，只有在鍺三極管上外加正向電壓達到約_V 時，正向電流才明顯增加。這個電壓稱為鍺二極管的死區(qū)電壓。（1） A. 0.7V B. 0.2V C. 0.5V D.0.3V（2） A. 0.7V B. 0.2V C. 0.5V D.0.3V二、判斷題(正確的選“Y”，錯誤的選“N”)1. P型半導體可通過在純凈半導體中摻入五價磷元素而獲得。（Y） （N）2. 在N型半導體中，摻入高濃度的三價雜質改型為P型半導體。（Y） （N）3. P型半導體帶正電，N型半導體帶負電。（Y） （N）4. PN結內的擴散電流是載流子在電場作用下形成的。（Y） （N）5. 漂移電流是少數(shù)載流子在內電場作用下形成的。（Y） （N）6. 由于PN結交界面兩邊存在電位差，所以，當把PN結兩端短路時就有電流流過。（Y） （N）7. PN結方程可以描述 PN結的正向、特性和反向特性，也可以描述PN結的反向擊穿特性。（Y） （N）8N型半導體的多數(shù)載流子是電子，因此N型半導體帶負電。（Y） （N）11在外電場作用下，半導體中同時出現(xiàn)電子電流和空穴電流。（Y） （N）12當外加反向電壓增加時， PN 結的結電容將會增大。（Y） （N）13通常的 BJT 管在集電極和發(fā)射極互換使用時，仍有較大的電流放大作用。（Y） （N）14通常的 JEFT 管在漏極和源極互換使用時，仍有正常的放大作用。 （Y） （N）15當環(huán)境溫度升高時，本征半導體中自由電子的數(shù)量增加，而空穴的數(shù)量基本不變。（Y） （N）16當環(huán)境溫度升高時，本征半導體中空穴和自由電子的數(shù)量都增加，且它們增加的數(shù)量相等。（Y） （N）17 P 型半導體中的多數(shù)載流子都是空穴，因此， P 型半導體帶正電。（Y） （N）18 PN 結中的空間電荷區(qū)是由帶電的正，負離子形成的，因而它的電阻率很高。（Y） （N）19 半導體二極管是根據(jù) PN 結單向導電的特性制成。因此，半導體二極管也具有單向導電性。（Y） （N）21 當二極管兩端加正向電壓時，二極管中有很大的正向電流通過。這個正向電流是由 P 型和 N 型半導體中多數(shù)載流子的擴散運動產(chǎn)生的。（Y） （N）22 用萬用表判斷二極管的極性，若測得二極管的電阻很小，那么，與萬用表的紅表筆相接的電極是二極管的負極，與黑表筆相接的是二極管的正極。（Y） （N）24用萬用表歐姆擋測量二極管的正相電阻，用 R 1 檔測出的電阻值和用 R 100 擋測出的電阻值不相同，說明這個二極管的性能不穩(wěn)定。（Y） （N）25漂移電流是少數(shù)載流子形成的。（Y） （N）26當晶體二極管加反向電壓時，將有很小的反向電流通過，這個反向電流是由 P 型和 N 型半導體中少數(shù)載流子的漂移運動產(chǎn)生的。（Y） （N）27. 普通二極管反向擊穿后立即損壞，因為擊穿都是不可逆的。（Y） （N）28. 正偏時二極管的動態(tài)內阻隨著流過二極管的正向電流的增加而減小。（Y） （N）29. 發(fā)光二極管內部仍有一個PN結，因而他同普通二極管一樣導通后的正向壓降為0.3V或0.7V 。（Y） （N）30. 發(fā)光二極管的發(fā)光顏色是由采用的半導體的材料決定的。（Y） （N）31. 穩(wěn)壓二極管只要加上反向電壓就能起到穩(wěn)壓作用。（Y） （N）32. 整流二極管一般都采用面接觸型或平面型硅二極管。（Y） （N）33. 硅二極管存在一個結電容，這僅是由引腳和殼體形成的。（Y） （N）34. P 型半導體可以通過在本征半導體中摻入五價磷元素而得到。（Y） （N）35. N 型半導體可以通過在本征半導體正摻入三價銦元素而得到。（Y） （N）36. N 型半導體中，摻入高濃度的三價元素，可以改變?yōu)?P 型半導體。（Y） （N）37漂移電流是在內電場作用先形成的。（Y） （N）38導體的價電子易于脫離原子核的束縛而在晶格中運動。（Y） （N）39導體中的空穴的移動是借助于相鄰價電子于空穴復合而移動的。（Y） （N）40施主雜質成為離子后是正離子。（Y） （N）41受主雜質成為離子后是負離子。（Y） （N）43極管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，還可以描述二極管的擊穿特性。（Y） （N） 題目系太原電力高等?？茖W校精品課程電子技術基礎4/wljx/jpkc/dzjs/exam/md01.asp其中缺少題號的題目是與已有的題目重復，故沒有寫出。答案是本人參考各資料整理，旨在學習交流，如有錯誤，敬請指正。liuyj_答案：選擇題：15. ACCAB 610. ACBDC 第9題中，2表示二極管，三極管則為3，A、B表示材料鍺，C、D表示材料硅，A、C表示N型，P表示普通，W表示穩(wěn)壓，Z表示整流，后面阿拉伯數(shù)字表示序號。1115. CDA(1)C(2)A(1)A(2)E(3)B(4)D11題中兩個穩(wěn)壓管D1和D2，穩(wěn)定電壓分別是V1和V2，正向導通電壓都是0.7V，當D1和D2都反接即工作在穩(wěn)壓狀態(tài)時，穩(wěn)定電壓為V1+V2，若都正接即導通狀態(tài)時，穩(wěn)定電壓為07V+0.7V1.4V，若一個反接一個正接，則為V1+0.7V或V2+0.7V，所以共有4個穩(wěn)壓值。13題中，穩(wěn)壓管D1和普通二極管D2，D1的穩(wěn)定電壓是V1，二者的正向導通電壓都是0.7V，當二者都反接時，則輸出電壓為輸入電壓；若D1反接，D2正接，則穩(wěn)壓值為V1+0.7V，當二者都正接，則穩(wěn)壓值為0.7+0.71.4V，若D1正接，D2反接，則輸出仍為輸入電壓。故只有兩種穩(wěn)壓值。16.B 17.C 18.C 17題中，正向電流與正向電壓的關系為第2題C中的公式，電流隨電壓按指數(shù)形式增加。 18題中，原題無圖，故從別的資料中找到的一幅圖，序號不相對應。21.（1）D（2）B 23.C 24.（1）C（2）C 26.C 27.A 28.（1）A（2）C 29.A 30.C31.（1）C（2）B注意：鍺二極管和硅二極管的正向壓降、死區(qū)電壓和反向飽和電流的取值范圍如下所示：二極管正向壓降/V死區(qū)電壓/V反向飽和電流鍺0.2大，uA級硅0.6小，nA級一般典型值鍺管，硅管，此處選項只有0.2V，故第（2）選B。判斷題：15. NYNYY 68. NNN 11.N 12.N 13.N 14.N 15.N11題與選擇題第5題類似，對PN結加正向電壓，擴散運動大于漂移運動，PN結內的電流便由起支配地位的擴散電流所決定；對PN結加反向電壓，漂移運動大于擴散運動，PN結內的電流便由起支配地位的漂移電流所決定。12題中PN結的結電容是勢壘電容和擴散電容的總效果，結電容的大小除了與本身結構和工藝有關外，還與外加電壓有關。當PN結處于正向偏置時，正向電阻很小，結電容較大，主要取決于擴散電容；當PN結處于反向偏置時，反向電阻很大，結電容較小，主要取決于勢壘電容。當反向電壓增加時，PN結厚度增大，PN結厚度跟勢壘電容的關系，類似平板電容器跟極間距離成反比的關系。故PN結的結電容應該是減小。 16.Y 17.N 18.N 19.Y 18題半導體的電導率很高，但摻入微量雜質后，電阻率會發(fā)生很大的變化，導電能力可增加幾十萬乃至幾百萬倍。21.Y 22.N 24.N 25.Y 2630.YNYNY29題中二極管的管壓降：硅二極管（不發(fā)光類型）正向管壓降0.7V，鍺管正向管壓降為0.3V,發(fā)光二極管正向管壓降為隨不同發(fā)光顏色而不同。1. 直插超亮發(fā)光二極管壓降主要有三種顏色，然而三種發(fā)光二極管的壓降都不相同，具體壓降參考值如下：紅色發(fā)光二極管的壓降為2.0-2.2V黃色發(fā)光二極管的壓降為1.82.0V綠色發(fā)光二極管的壓降為3.03.2V正常發(fā)光時的額定電流約為20mA。2. 貼片LED壓降 紅色的壓降為1.82-1.88V，電流5-8mA 綠色的壓降為1.75-1.82V，電流3-5mA 橙色的壓降為1.7-1.8V，電流3-5mA 蘭色的壓降為3.1-3.3V，電流8-10mA 白色的壓降為3-3.2V，電流10-15mA.LED壓降及電流1 黃綠(565-575nm)黃(585-595nm)紅(600-650nm) led的壓降在1.8-2.4v(平均2.0v) 工作電流20ma = (5.0-2.